| 型号： | 1N6483HE3/96 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay General Semiconductor | 描述： | DIODE GPP 1A 800V DO-213AB |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 |
| 1N6483HE3/96 PDF |  |
| 标准包装 | 1,500 |
| 系列 | - |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大） | 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.1V @ 1A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 10µA @ 800V |
| 电容@ Vr, F | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-213AB，MELF |
| 供应商设备封装 | DO-213AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |